FIB天津大学校徽
特征尺寸50 nm
EBL光栅
特征尺寸8 nm
ICP-RIE光栅
特征尺寸15 nm
LiNbO3微环谐振腔
本征Q值3*105
LiNbO3光栅
光栅周期990 nm
LiNbO3波导
侧壁角度73°
超构透镜阵列
深度1.2 μm,深宽比10:1
超构光栅
深度1.1 μm,深宽比10:1
超表面成像芯片
特征尺寸140 nm
脑机接口调制器
Y型分束器
掺Er波导放大器
微环谐振腔
交叉波导
LiNbO3调制器
线型光栅耦合器
聚焦型光栅耦合器
定向耦合器
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