B11E

BDDC7

FIB天津大学校徽

特征尺寸50 nm

EBL光栅

特征尺寸8 nm

ICP-RIE光栅

特征尺寸15 nm

9D656

LiNbO3微环谐振腔

本征Q值3*105

LiNbO3光栅

光栅周期990 nm

LiNbO3波导

侧壁角度73°

超构透镜阵列

深度1.2 μm,深宽比10:1

超构光栅

深度1.1 μm,深宽比10:1

超表面成像芯片

特征尺寸140 nm

脑机接口调制器

Y型分束器

掺Er波导放大器

微环谐振腔

交叉波导

LiNbO3调制器

线型光栅耦合器

聚焦型光栅耦合器

定向耦合器